熒光量子效率測試系統的應用

熒光量子效率測試系統的應用領域

半導體發光二極管LED

量子點發光器件QLED

微型LED發光器件MircoLED

有機發光材料和器件OLED

鈣鈦礦發光材料和器件PeLED

應用實例：

圖 5 不同PEDOT:PSS厚度的鈣鈦礦發光二極管（LED）（100%苯乙基溴化銨（PEABr）外殼）的性能。

a）電流密度和亮度與電壓的特性。實線和帶點的線分別對應于亮度和電流密度；

b）外部量子效率（EQE）與電流密度的特性；c）鈣鈦礦LED在恒定條件下的工作壽命施加4.4V的電壓和工作鈣鈦礦LED的照片；

d）與目前發表的基于藍色發射的結果的比較，鈣鈦礦LED的發射范圍為450-500nm，雙區位置為準二維藍色

如圖5a、b和表2所示，當PEDOT:PSS層較厚時，在60nm的波長下，獲得了2.6%的相對較差的EQE。鈣鈦礦LED因為在厚PEDOT:PSS的情況下，注入孔應該需要相對較長的時間才能穿過厚壁PEDOT:PSS層，隨后注入價帶鈣鈦礦，導致復合區位置更接近B區。當我們將薄膜厚度從60nm增加到45nm和30nm，鈣鈦礦LED的EQE分別從2.6%急劇上升到3.6%和5.7%。在這種情況下，較薄的PEDOT:PSS層允許注入孔在較短的時間內通過，導致位置偏移復合區朝向A區，電子可以在短時間內到達。作為復合區的位置PEDOT:PSS逐漸從B區轉移到A區厚度減小，越來越多的鈣鈦礦晶體激活，導致設備性能的提高。然而，當我們進一步將PEDOT:PSS厚度減小到15nm時，鈣鈦礦LED顯示出2.2%的相對較差的EQE。這一結果可歸因于這種超薄PEDOT:PSS薄膜在ITO上的覆蓋率低，這可能會使鈣鈦礦晶體直接與底部電極接觸，從而led鈣鈦礦LED中的嚴重漏電流（如圖5a所示）降低了器件性能。值得強調的是，基于復合區調制，最好的藍色鈣鈦礦LED實現了3780 cd m^?2的創紀錄亮度以及5.7%的創紀錄EQE，是目前公布的藍色鈣鈦礦LED數據兩倍多，如圖5d10,19,20,28,32,40-51。我們的設備也獲得了出色的裝置再現性，平均EQE為4.5%。

表 2 不同PEDOT:PSS厚度的鈣鈦礦LED（100%PEABr情況）的性能